NAND 颗粒资料

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TH58TGT3V23BB8N NAND 参数与支持工具 · 工具第 6 页

TH58TGT3V23BB8N 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 276 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
TH58TGT3V23BB8N
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
1TB
闪存类型
NAND
闪存单元
TLC
闪存制程
BiCS3
器件位宽
x8
CE 数量
4
Die 数量
16
R/B 数
未知
代数
1
封装类型
BGA152
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ:1.8V
工作模式
同步模式(Toggle)

相关 ID 与型号

98,00,00,00,00,00 · 98,33,98,B3,76,63 · 98,48,99,B3,7A,F2 · 98,49,9A,B3,7E,72 · 98,49,9A,B3,7E,F2 · TC58LJG9T23TA0D · TH58TFG3T23BA8H · TC58TFG9T23TA0D · TH58TGT3V23BB8N-BICS3-1T

候选量产工具包 · 276

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。