NAND 颗粒资料

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TH58TEG9DBHBA89 NAND 参数与支持工具 · 工具第 4 页

TH58TEG9DBHBA89 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 360 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
TH58TEG9DBHBA89
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
64GB
闪存类型
NAND
闪存单元
MLC
闪存制程
24nm
器件位宽
x8
CE 数量
4
Die 数量
4
封装类型
BGA132
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V
工作模式
同步模式

相关 ID 与型号

45,3A,95,83,7A,D6 · 98,3A,95,83,7A,D6 · TH58TEG9DBHBAS9 · TH58TEG9DBHBAX9 · TH58TEG7DBHBAMC · TH58TEG7DBHBAS0 · TH58TEG8DBHBAS2 · TH58TVG5S2FBA49

候选量产工具包 · 360

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。