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TH58TEG6H2HBAMC NAND 参数与支持工具 · 工具第 4 页

TH58TEG6H2HBAMC 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 582 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
TH58TEG6H2HBAMC
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
8GB
闪存类型
NAND
闪存单元
SLC
闪存制程
24nm
器件位宽
x8
CE 数量
2
Die 数量
2
封装类型
BGA132
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V
工作模式
同步模式

相关 ID 与型号

98,D7,A0,32,76,00 · 98,D7,A0,32,76,D6 · TH58TEG5H2HBA4C · TH58TEG6H2HBA4C · TH58TEG7H2HBA8C · TH58TEG7H2HBASC · TOSHIBA 6H2H · TH58TEGXH2HBAXX

候选量产工具包 · 582

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。