NAND 颗粒资料

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K9PMGY8S7M NAND 参数与支持工具 · 工具第 4 页

K9PMGY8S7M 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 498 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
K9PMGY8S7M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
闪存类型
NAND
闪存单元
MLC
闪存制程
SSV3
器件位宽
x8
CE 数量
8
Die 数量
8
R/B 数
8
代数
1
封装类型
BGA316/168
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式

相关 ID 与型号

EC,11,97,53,6E,C9 · EC,11,9B,2F,8E,C9 · EC,1A,94,F3,64,C8 · EC,1C,94,53,64,C9 · EC,1E,D5,53,68,C9 · EC,5C,94,53,64,C9 · EC,5E,73,88,CC,C9 · K9GFGD8F0M · K9GFGD8U0M

候选量产工具包 · 498

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。