NAND 颗粒资料

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K9OUGB8J1M NAND 参数与支持工具 · 工具第 10 页

K9OUGB8J1M 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 515 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
K9OUGB8J1M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
512GB
闪存类型
NAND
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
器件位宽
x8
CE 数量
2
Die 数量
8
R/B 数
未知
封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
Toggle CER

相关 ID 与型号

EC,11,9A,3F,8C,CB · EC,51,9A,3F,8C,CB · K90UGB8J1M · K9OUGY8H5M · K9DVGY8J5M

候选量产工具包 · 515

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。