K9DVGY8JRD NAND 参数与支持工具

K9DVGY8JRD 的来源资料、候选型号与 Flash ID，关联 0 个候选工具包；逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置；本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号

K9DVGY8JRD

闪存品牌

Samsung/三星

闪存容量

1TB

闪存类型

NAND

闪存单元

TLC

闪存制程

SSV7

CE 数量

4

Die 数量

16

封装类型

BGA316

工作电压

VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V

工作模式

Toggle

候选量产工具包 · 0

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资料依据：本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺；工具包页提供具体源文件路径。