NAND 颗粒资料

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K9BCGD8U1E NAND 参数与支持工具 · 工具第 4 页

K9BCGD8U1E 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 228 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
K9BCGD8U1E
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
8GB
闪存类型
NAND
闪存单元
TLC
闪存制程
1ynm
器件位宽
x8
CE 数量
2
Die 数量
2
R/B 数
2
代数
6
封装类型
TSOP/BGA
工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V
工作模式
同步模式

相关 ID 与型号

EC,D7,88,BF,90,C6 · EC,DE,88,BF,90,C6 · K9ABGD8U0E · K9AAGD8U0B · K9XXGD8UXE

候选量产工具包 · 228

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。