NAND 颗粒资料

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H27UBG8T2CTR NAND 参数与支持工具 · 工具第 5 页

H27UBG8T2CTR 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 553 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
H27UBG8T2CTR
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
4GB
闪存类型
NAND
闪存单元
MLC
闪存制程
20nm
器件位宽
x8
CE 数量
1
Die 数量
1
R/B 数
1
代数
4
封装类型
TSOP48
工作电压
Vcc: 3.3V, VccQ: 3.3V
工作模式
异步模式

相关 ID 与型号

AD,D7,94,91,60,44 · AD,D7,94,91,E0,C4 · AD,E7,94,91,60,44 · AD,E7,94,91,60,C4 · H27UBG8T2C · FLASH_LIST FLA · H27UBG8T2CTRX2

候选量产工具包 · 553

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。