NAND 颗粒资料

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H25BFTMG4B9R NAND 参数与支持工具

H25BFTMG4B9R 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 502 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
H25BFTMG4B9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
1TB
闪存类型
NAND
闪存单元
TLC
闪存制程
3DV7
器件位宽
x8
CE 数量
2
Die 数量
4
R/B 数
未知
封装类型
BGA512
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V/1.2V
工作模式
Toggle

相关 ID 与型号

AD,7E,28,53,02,B0 · AD,7E,2A,53,02,B0 · skhynix H25BFT4D1C · skhynix H25BFT8D4B · HY-HYV6

候选量产工具包 · 502

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。