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EC,A7,A0,6A,68,C4 NAND 参数与支持工具 · 工具第 10 页

EC,A7,A0,6A,68,C4 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 477 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
K9QFGY8S7M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
32GB
闪存类型
NAND
闪存单元
SLC
闪存制程
21nm
器件位宽
x8
CE 数量
8
Die 数量
8
R/B 数
未知
代数
1
封装类型
BGA316
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式

相关 ID 与型号

EC,A7,A0,6A,68,C4 · EC,AE,A4,7A,68,C4 · EC,D7,94,7E,64,44 · EC,DE,A4,7A,68,C4 · EC,DE,D5,7E,68,C4 · K9GCGD8U0A · K9GBGD8U0B · K9XXG08UXM · K9WDGY8S5M

候选量产工具包 · 477

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。