EC,52,9B,3F,8E,CB NAND 参数与支持工具 · 工具第 3 页
EC,52,9B,3F,8E,CB 的来源资料、候选型号与 Flash ID，关联 138 个候选工具包；逐包查看支持表证据。
候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置；本站记录不等于实际开卡验证。
颗粒参数
- 闪存型号
- K9DVGB8J1M
- 闪存品牌
- Samsung/三星
- 闪存容量
- 1TB
- 闪存类型
- NAND
- 闪存单元
- TLC
- 闪存制程
- SSV4
- 器件位宽
- x8
- CE 数量
- 2
- Die 数量
- 16
- R/B 数
- 未知
- 代数
- 1
- 封装类型
- BGA316
- 工作电压
- VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
- 工作模式
- 同步模式(Toggle)
相关 ID 与型号
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候选量产工具包 · 138
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资料依据：本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺；工具包页提供具体源文件路径。