NAND 颗粒资料

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EC,51,DA,AF,8C,CD NAND 参数与支持工具 · 工具第 6 页

EC,51,DA,AF,8C,CD 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 365 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
K9DVGY8J5B
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
1TB
闪存类型
NAND
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV6
CE 数量
4
Die 数量
16
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V/1.2V
工作模式
Toggle

相关 ID 与型号

EC,51,DA,AF,8C,CD · EC,51,DB,AF,8E,CD · EC,5E,98,AF,84,CD · EC,5F,D9,AF,88,CD · K9AHGD8J0C · K9AHGD8H0B · K9AHGD8J0B

候选量产工具包 · 365

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。