NAND 颗粒资料

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EC,1E,D9,BF,88,CC NAND 参数与支持工具

EC,1E,D9,BF,88,CC 的来源资料、候选型号与 Flash ID，关联 742 个候选工具包；逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置；本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号: K9OMGD8H2B
闪存品牌: Samsung/三星
闪存容量: 256GB
闪存类型: NAND
闪存单元: TLC
闪存制程: SSV5
器件位宽: x8
CE 数量: 4
Die 数量: 8
R/B 数: 未知
代数: 1
封装类型: BGA
工作电压: VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式: 同步模式

相关 ID 与型号

EC,1C,98,BF,84,CC · EC,1E,98,AF,84,CD · EC,1E,98,BF,84,CC · EC,1E,D9,BF,88,CC · EC,51,9A,BF,8C,CC · EC,52,9B,BF,8E,CC · EC,5C,98,BF,84,CC · EC,5E,98,BF,84,CC · EC,5F,9A,BF,8C,CC · EC,5F,D9,BF,88,CC · K9AFGD8H0B · K9AHGD8H0A

候选量产工具包 · 742

资料依据：本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺；工具包页提供具体源文件路径。