NAND 颗粒资料

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EC,1E,D9,2F,88,C9 NAND 参数与支持工具 · 工具第 6 页

EC,1E,D9,2F,88,C9 的来源资料、候选型号与 Flash ID,关联 833 个候选工具包;逐包查看支持表证据。

候选匹配可能包含别名、兼容前缀和名称线索。请进入工具包核对完整 ID、来源及配置;本站记录不等于实际开卡验证。

颗粒参数

闪存型号
K9DUGB8S7M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
512GB
闪存类型
TLC
闪存单元
TLC
闪存制程
SSv3
器件位宽
x8
CE 数量
8
Die 数量
16
封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V,VCCQ:1.8V
工作模式
Toggle3.0

相关 ID 与型号

EC,11,9B,2F,8E,C9 · EC,1C,98,2F,84,C9 · EC,1E,D9,2F,88,C9 · K9AEGD8CKG · K9DUGY8X7M · K9AHGD8H0M · K9OKGY8S7E

候选量产工具包 · 833

资料依据:本站收录的闪存参数资料及量产工具包支持表。参数缺失时保留空缺;工具包页提供具体源文件路径。